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Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten CMOS- und BICMOS-Schaltungen hat das Umfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Das Verständnis für Zusammenhänge von physikalischen Effekten der Bipolar- und MOS-Transistoren auf die Funktion digitaler und analoger Schaltungen sowie auf statische, dynamische und nichtflüchtige Speicher ist durch die kontinuierliche Strukturverkleinerung zwingend erforderlich geworden. Zwar erleichtern diverse CAD-Hilfen die Arbeit, überschlägige Schaltungsberechnungen, die das Verständnis und die Innovation fördern, sind jedoch unumgänglich.
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