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Estudo e simulacao de ruido em transistores
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A reduçăo das dimensőes dos dispositivos semicondutores para escalas submicrométricas impőe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das variaçőes intrínsecas afetando parâmetros elétricos cresce em importância ŕ medida que a área dos dispositivos adentra a faixa nanométrica. Dentre essas variaçőes estăo flutuaçőes nas tensőes e correntes de terminal causadas pelas diferentes formas de ruído intrínseco dos dispositivos MOS. Este trabalho apresenta um estudo sobre o impacto do ruído elétrico no desempenho de circuitos MOS. Um novo modelo para simulaçăo do Random Telegraph Signal (RTS) no domínio do tempo é utilizado. Uma metodologia de simulaçăo para contabilizar o ruído térmico em simulaçőes transientes também é proposta. A partir desses modelos de simulaçăo de dispositivos, o trabalho de pesquisa analisa o impacto da variabilidade de parâmetros elétricos em nível de circuito. As simulaçőes focam na caracterizaçăo da pureza espectral em osciladores em anel de sinal diferencial. Diversas topologias săo apresentadas e posteriormente comparadas em termos do jitter no período de oscilaçăo.
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